1. Projekt NCBR Nr LIDER/027/533/L-5/13/NCBR/2014, „Technologia struktur tranzystorowych AlGaN/GaN HEMT osadzonych na podłożach krzemowych”, kierownik Mateusz Wośko, (01.01.2015-30.06.2018)

2. Projekt NCN nr 2015/17/B/ST7/03815 „Badanie struktury elektronowej, gęstości stanów i morfologii powierzchni półprzewodników złożonych AIIIBV-N z zastosowaniem nowatorskiego spektromikroskopu DEEM. Opracowanie nowej metodologii charakteryzacji”, kierownik Krzysztof Grzelakowski, (18-03-2016 - 17-03-2019)

3. Projekt NCN OPUS nr 2015/19/B/ST7/02494 „Wpływ efektów piezotronicznych na działanie przyrządów elektronicznych wytwarzanych w nanostrukturach AIIIN”,  Kierownik Regina Paszkiewicz,  (06.07.2016-05.01.2020)

4. Projekt NCBR TECHMASTRATEG Nr 1/346922/4/NCBR/2017 „Technologie materiałów półprzewodnikowych dla elektroniki dużych mocy i wysokich częstotliwości” (PW, ITE, PWr, ITME, NanoCarbon), PWr: Zad. 2. „Technologie i materiały do wytwarzania wertykalnyh tranzystorów AlGaN/GaN HEMT (VHEMT)" Kierownik Regina Paszkiewicz,  (1.12.2017-30.11.2020)

1. Projekt MNiSzW N515 002 31/0239 „Konstrukcja i technologia heterostruktur do wytwarzania fototranzystora HPT", kierownik Marek Tłaczła, (2006 – 2009).

2. Grant Zamawiany MNiSzW nr PBZ-MEiN-6/2/2006, „Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur", zad. 24, kierownik Marek Tłaczła, (04.2007-03.2010)

3. R02 018 02, Grant Rozwojowy MNiSzW, „Opracowanie technologii i konstrukcji czujników wodoru, na bazie heterostruktur AIII-N/SiC, przeznaczonych do pracy w podwyższonych temperaturach", kierownik projektu, kierownik Marek Tłaczła, (02.2007-01.2010)

4. Projekt Promotorski MNiSW nr 4406/B/T02/2007/33, „Ocena wpływu blokowej struktury heteroepitaksjalnych warstw azotków na działanie detektorów MSM”, kierownik Regina Paszkiewicz, (29.10.2007-28.10.2008)

5. Projekt Promotorski MNiSW nr 0535/B/T02/2008/35, „Opracowanie konstrukcji i technologii fotodetektorów z zastosowaniem nanostruktur półprzewodników AIIIBV o ciągłej zmianie składu”, kierownik Regina Paszkiewicz, (07.10.2008-28.11.2009)

6. Projekt nr POIG 01.01.02-00-008-00, „Kwantowe nanostruktury półprzewodnikowe do zastosowań w biologii i medycynie – Rozwój i komercjalizacja nowej generacji urządzeń diagnostyki molekularnej opartych o nowe polskie przyrządy półprzewodnikowe", kierownik Marek Tłaczła, (10.2009-03.2013)

7. Projekt własny N N 515 607539, „Konstrukcja i technologia heterostruktur AIIIBV-N dla fotoogniw", kierownik Marek Tłaczła, (2010-2013)

8. Grant Promotorski MNiSW nr N N515 360436, „Kontakty omowe i prostujące do półprzewodników z szeroką przerwą wzbronioną", kierownik Marek Tłaczła, (8.04.2009-30.11.2010)

9. Projekt własny MNiSW nr N N515 607539, „Konstrukcja i technologia heterostruktur AIIIBV-N dla fotoogniw", kierownik Marek Tłaczła, (09.2010-09.2013)

10. Program Badań Stosowanych PBS1/B3/2/2012 „Emitery i detektory podczerwieni nowej generacji do zastosowań w urządzeniach do detekcji śladowych ilości zanieczyszczeń gazowych”, kierownik Marek Tłaczła, (1.10.2012 – 30.09.2015)

11. Projekt NCN, nr wniosku N N515 495740: „Zbadanie możliwości zwiększenia gęstości prądu w tranzystorach AlGaN/GaN HEMT”, (01.04.2011-31.03.2014)

12. Projekt NCBR PBS nr 178782: „Tranzystor mikrofalowy AlGaN/GaN HEMT na pasma C i X”, kierownik Regina Paszkiewicz, (1.11.2012-31.10.2015)

13. Projekt NCN Sonata Nr 2012/07/D/ST7/02583, „Badanie zjawisk na granicy metal-półprzewodnik w przyrządowych strukturach półprzewodnikowych na bazie heterostruktur AlGaN/GaN”, kierownik Wojciech Macherzyński, (17.07.2013-16.11.2016)

14. Umowa Nr ITE/ PBS2/A3/15/2013 /PWr, „Modyfikacja procesów technologicznych warstw InP przeznaczonych do konstrukcji kwantowego lasera kaskadowego QCL wytwarzanego w hybrydowej technologii MBE-MOVPE” w projekcie pt. "Modyfikacja właściwości kwantowych laserów kaskadowych za pomocą technologii trawienia zogniskowaną wiązką jonową FIB. (QCL PROperties modification using Focused Ion beam etching Technology)", kierownik Marek Tłaczła, (01.10.2013 - 30.09.2016)